解析事例

光導波路モード解析ソルバーFieldDesigner -解析事例

解析事例1

垂直放射カプラーの断面モデルで、マイクロ共振器と2本の導波路モデルです。
オレンジ層はSiON、導波路は基板より0.03um高くなっています。
下部クラッドはSiO2(ブルー)で上部クラッドはPECVD SiO2(ライトブルー)です。
上部右図は曲率半径30mmのマイクロ共振器の基本モードを表示しており、下部図は共振器から2本の導波路までの結合モード過程を示しています。
導波路は基板より0.03um高いだけですが、共振器から4次モードまで閉じ込めるのには十分であることが確認できます。

解析事例2

スイッチイングパワーはシリカ基板の光熱マッハツェンダー干渉計(TOSW)装置では重要な要素の一つです。
低いスイッチイングパワーは高速な切り替えやTOSWサイズの小型化、より簡易な作成を可能にします。
干渉計ブランチにおける光学位相の変化は電極の加熱によって引き起こされます。
下記のグラフは下部クラッドの厚みと幅によって変化したスイッチングパワーについての解析結果を示している。